在半导体产业链中,晶圆是芯片的母体,其切割和分离的精度将直接影响芯片的性能和成本。传统的机械切割或激光切割会产生热影响和崩边,从而降低芯片的质量。而激光作为加工工具,对于确保半导体芯片的性能起着至关重要的作用。
近日,华工科技制造出我国首台核心部件100%国产化的高端晶圆激光切割设备,在半导体激光设备领域攻克多项中国第一。这是一个非常了不起的成就,展示了中国在半导体领域的创新能力和自主发展的决心。
华工科技:半导体晶圆切割领域的领跑者
半导体晶圆属于硬脆材料,在一个12英寸的晶圆上有数千颗甚至数万颗芯片。晶圆切割和芯片分离无论采取机械或激光方式,都会因物质接触和高速运动而产生热影响和崩边,从而影响芯片性能。因此,控制热影响的扩散范围和崩边尺寸是关键。
华工科技的半导体晶圆切割技术成功实现升级,热影响降为0,崩边尺寸降至5微米以内,切割线宽可做到10微米以内,这意味着晶圆能做到更高的集成度,从而使得半导体制造更经济、更有效率。
华工科技的半导体晶圆激光切割设备是我国首台核心部件100%国产化的高端晶圆激光切割设备,打破了国外垄断,实现了国产替代。该设备采用了自主研发的高功率超快激光器、高精度扫描振镜、高性能运动控制系统等核心部件,具有切割速度快、精度高、稳定性好等优点,可满足12英寸以下各种类型晶圆的切割需求。
按照生产一代、研发一代、储备一代的理念,华工激光正在研发具备行业领先水平的第三代半导体晶圆激光改质切割设备,计划今年7月推出新产品,同时也正在开发我国自主知识产权的第三代半导体晶圆激光退火设备。
半导体晶圆激光改质切割设备是一种利用激光在晶圆内部产生微裂纹,从而实现晶圆分离的新型技术。该技术可以有效避免热影响和崩边,提高芯片的良率和性能。半导体晶圆激光退火设备是一种利用激光对晶圆进行表面处理,从而改善晶圆的电学特性和结构特性的技术。该技术可以提高芯片的速度和功耗,增强芯片的可靠性和稳定性。
华工激光半导体产品总监黄伟说,激光技术的应用是没有边界的,有很多未知的领域,需要大胆探索,“我们有信心让中国的激光装备在更多的细分领域达到国际领先水平。”
7月7日,在BCS“信创网络安全论坛”上,自主可控网络安全技术创新中心发布了《自主可控网络安全产业白皮书(2023版)》,这是我国在该领域的首份白皮书。
惠蓄电站是抽水蓄能机组设备国产化的首批依托项目之一, 2004年我国以惠蓄8台、白莲河4台、宝泉4台机组“打捆招标”的方式,用市场换技术,推进了抽水蓄能技术国产化进程。惠蓄电站总装机240万千瓦(8*300MW),曾是全球一次性建成的装机容量最大的高水头大容量抽水蓄能电站。
惠蓄电站原监控系统采用国外产品,本次改造需要接入监控系统的调速系统、励磁系统、SFC等外围系统均维持原有国外产品。面对国外系统的技术封闭、资料受限、流程难以解读、通信规约不开放等一系列技术堡垒,项目团队潜心攻关,从电缆梳理、端子确认、信号核对到流程确定、功能设计、通信破解逐个梳理、各个击破,理清并完成系统设计、图纸设计、流程设计、功能设计。尤其是针对系统与原有国外产品的互联互通,研究解决方案,制定应急预案,按期完成了各项升级改造工作,系统顺利投运并稳定运行,展现出良好的兼容性、开放性、可扩展性。
本次惠蓄监控系统改造,从硬件到软件全面实现国产自主可控,标志着我国抽水蓄能电站监控系统完全自主可控再上新台阶。
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