7月14日，彭博社消息，荷兰光刻机巨头阿斯麦公司（ASML）与中国客户的合作将面临美荷更严格的管制。中方此前已明确表示，美荷相关做法是对出口管制措施的滥用，是对自由贸易和国际经贸规则的严重背离，中方对此坚决反对。
报道称，这些限制与荷兰政府6月30日公布的出口管制规定有关，新规要求从9月1日开始。ASML需要向荷兰政府申请出口许可证，才能向海外发运先进的浸润式DUV系统（即TWINSCAN NXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统）。如果荷兰政府拒发出口许可证，ASML将不能向中国发运相关设备。
知情人士称，荷兰的出口管制新规将禁止ASML在未经政府批准的情况下，为受管制设备提供维护、修理服务以及供应备件。
除荷兰政府的进一步管制外，预计美国政府还将禁止ASML在未经美国政府批准的情况下，向大约六家中国工厂出售上一代DUV（深紫外线）设备。由于相关规定尚未公布，上述知情人士均为匿名。
光刻机巨头：阿斯麦ASML
ASML是总部设在荷兰的全球领先的半导体设备制造商，为半导体生产商提供光刻机及相关服务。
公司的主力产品是用于生产大规模集成电路。在世界同类产品中，ASML的市场占有率为90%，在14纳米制程以下的芯片中有100%的市占率。也是世界上唯一一家能制造最先进芯片（7纳米以下）所需的高度复杂机器—EUV光刻机的公司。
ASML最初出于公司发展考虑，并不想与老美“同流合污”，但无奈，ASML大多技术采用美国专利。
随着中美芯片竞争的愈演愈烈，在美国的不断施压下，前不久荷兰宣布：“除已经限制出口的EUV光刻机外，还将新增部分14nm工艺DUV光刻机，进入管制出口清单”。最终目的是将我国芯片技术，限制在28nm工艺以下。
这一消息的传出，意味着我国不仅无法购入新的高端光刻机，就连之前已经购入的光刻机，都将面临成为“废铁”的可能。
数据显示，ASML公司仅2022年就向中国市场供应了约100台光刻机，而过去几年累计供应的光刻机数量更是达到了800台。而为防止技术外流，阿斯麦公司规定光刻机的后续维护升级，必须由他们派人操作。
随着光刻机禁令的进一步加强，也就意味着这800台光刻机的维护升级，将成为一个“难题”。要知道，一台光刻机的价格，起步就是几千万甚至上亿，对于我国而言，这将会是一笔巨大的损失。
美国发动美日荷联盟打压中国芯
显然，美日荷联盟这一次是有备而来，绕开EUV光刻机，聚焦DUV光刻机，且对“中国芯”的封锁卡在了14nm制程，这或许就是中芯国际官网不得不下架关于14nm制程相关信息的主要原因。
众所周知，台积电和三星作为芯片领域的两大代工巨头企业，芯片制造工艺已经达到了3nm，可若是离开了ASML所提供的EUV光刻机，芯片也无法正常生产。
中芯国际之所以无法突破目前的制造水平，进入高端芯片市场，很大程度上就是因为ASML的EUV光刻机无法自由出货。
美国还向日本施压，要求其尽快履行“三方协议”。同时日本直接将芯片限制的范围下探到45nm。
现如今，在美日荷联盟彻底摊牌的背景下，我国需要在半导体制造设备上实现国产化，是一大考验。
截至目前，国内仍旧没有实现14nm的量产，就连14nm的光刻机目前仍旧在试验阶段。事实上，目前国内14nm及以下工艺制程的光刻机仍旧依赖于进口。
而世界上最为先进的光刻机巨头ASML公司的光刻机，也是多个国家的技术合作共同制作出来的。
例如，荷兰ASML公司自身负责光学设计和系统集成，美国的Intel和台积电等半导体制造商提供了关键的芯片设计技术和需求，而日本的尼康、佳能等公司则负责提供光刻机的光学元件和设备。
从发布的规则来看，主要针对的还是先进工艺的设备等，比如EUV设备、技术是严禁出口的，像浸润式光刻机，则做了更多的要求。
一方面是卡住波长，在193nm以下的不能出口。另外一方面则是卡住DCO值，如果采用193nm波长，且DCO值小于或等于1.50nm的光刻机不准出口。
这样算下来，EUV光刻机由于采用13.5nm波长，不能出口。而浸润式光刻机中，NXT1980系列虽然采用了193nm的波长，但DCO值是大于1.5nm的，所以能够出口。
而非浸润式的干式DUV光刻机，其DCO值均大于1.5nm，所以可以出口。
现如今，如果中国想以一国之力造出5nm光刻机，其想法是美好的，但真正做起来其实并没有那么简单，必须要彻底掌握以下7种技术。
1、光学设计：是光刻机开发中的一个重要步骤，其中需要确定激光或光源的波长、能量分布以及光束形状的要求。此外，还需要确保光刻过程中产生所需的图案精度。
2、机械系统：光刻机需要稳定的机械系统来移动和定位掩模和底片。这包括使用高精度线性驱动器、电机以及精密的传动、轨道和定位系统等。
3、光控制和曝光过程：光刻机需要精确控制光的强度、时间和位置，以实现对底片特定区域的曝光。
4、自动化和软件控制：现代光刻机需要通过软件进行控制和操作。包括开发图案生成软件、曝光参数优化软件以及自动对准、自动焦距调整等功能的软件控制。
5、高分辨率光刻技术：一种方法是使用较短的光波长，例如紫外线光刻技术。另一种方法是使用光栅投影光刻技术，通过分步曝光和光学技巧来提高分辨率。
6、材料和化学处理：光刻过程中需要使用化学物质来处理底片表面，以增强图案转移的质量。包括涂覆底片表面的光刻胶、对光刻胶进行曝光和固化、显影底片以及清洁和除去残留物等。
7、环境控制：温度的稳定性对于光刻过程的一致性很重要，尤其是对于高分辨率光刻。需要实施适当的环境控制，例如恒温恒湿的空间，以确保光刻过程的稳定性和可靠性。
我国为半导体材料镓、锗出口大国 ，出口管制或为对等反制
我国宣布对稀土进行管制的消息，成功让美西方炸了锅。在集成电路领域，硅是主要的半导体材料，而锗和嫁在某些特定应用中有其特殊用途。
以镓金属为基体制备的一系列化合物，如半导体材料、光学电子材料、特殊合金、有机金属材料和新型功能材料等，是通信、军工、航空航天、新能源、医药等高新技术领域重要的基础材料之一。
现如今，手机屏幕尺寸、汽车制造、变频空调、第三代半导体、第四代半导体等对镓需求上升，LED占全球镓总消费量的近60%，无线通信近11%，永磁材料占19%，光伏占4.27%。
此外，锗作为另一种关键金属也被多国列入战略储备物资的重要战略资源。在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学等领域都有广泛而重要的应用。
当前太阳能电池的主要成分虽还是单晶硅跟多晶硅。但是，用锗作为衬底的砷化镓太阳能电池应用也十分广泛。
其中，2025年全球锗需求将达到184.69吨，2022-2025年复合增长率达5.05%。预计2025年全球红外设备、光纤系统、光伏级锗、锗催化剂以及其他需求将消耗锗需求量分别达73.4、64.56、28.40、6.11、12.22吨。
可见，我国“限制稀土提炼技术出口”这一关键底牌，通过限制稀有金属材料的出口，向国际社会展示了自己的实力和决心。这一举措也凸显了中国在全球半导体供应链中的重要角色和位置，也势必会对美、日、荷等国家造成巨大影响。
结语
总之，中国芯的发展前景无疑是充满希望和机遇的。国内科技企业将不断拓展创新思路，加快自主创新的步伐，不断突破技术瓶颈，打破国外技术垄断，为中国芯的发展注入新的动力。
而对于美国来说，不断限制我国半导体行业的发展，也会有很大的困扰。正如英伟达黄仁勋所说，这将让美企承受巨大的损害。
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