(一)
半导体存储器原理实验
一、
实验目的与要求
目的:1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器怎样存储和读出数据。
要求:实验前,要求做好实验预习,掌握616型RAM存储器的功能特性和使用方法。
实验过程中,要认真进行实验操作和思考实验有关的内容,把自己不太明白的问题通过实验去理解清楚,争取得到最好的实验结果,达到预期的实验教学目的。
二、
实验方案
1. 使用了一片6116静态RAM(2048×8位),但地址端A8~A10脚接地,因此实际上存储容量为256字节。存储器的数据线D7~D0接至数据总线。
2. 使用一片8位的74LS273作为地址寄存器(AR),地址寄存器的输出端接存储器6116的地址线A7~A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。
3. 数据开关(INPUT
DEVICE)用来设置地址和数据,它经过一个三态门74LS245与数据总线相连,分别给出地址和数据。
4. 地址显示灯A
D7~AD0与6116地址线相连,用来显示存储单元的地址,数据总线上的显示灯B7~B0用来显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。
5. 存储器有三个控制信号:CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。当片选信号CE=0时,RAM被选中,可以进行读/写操作;当CE=1时,RAM未被选中,不能进行读/写操作。读命令信号OE在本实验中已固定接地,在此情况下,当CE=0,WE=1时,存储器进行写操作,当CE=0,WE=0时,存储器进行读操作。
6. LDAR是地址存储器AR存数控制信号。
7. 按图连接好实验电路,检查无误后通电。
8. 将表2。2的地址和内容转化为二进制
9. 参考例1的操作,向存储器单元里先写第一个单元的地址、然后向第一个地址,再写第二个地址,然后向第二个地址单元写内容,就这样不断循环操作,直到做完。
10. 参考例2依次读出表2。2各地址的内容
地址
写内容
00000000
10101010
00000001
01010101
00000010
00110011
00000011
01000100
00000100
01100110
00000101
00001000
00000110
11110000
表2.2
三、
实验结果和数据处理
1. 根据存储器的读写原理,按照表2.1的要求,将各控制端的状态填入相应栏中。
表2.1:
控制信号
写地址
写内容
读内容
SW-B
0
0
1
LDAR
1
0
X
CE
1
0
0
WE
X
1
0
2.注意先写第一个地址,然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址,然后读出第二个地址单元的内容,就这样不断循环操作即可读出各地址单元的内容。
(1) 向存储器的00H,01H,02H,03H,04H,05H,06H地址单元分别写入数据AAH,55H,33H,44H,66H,08H,F0H(十六进制),如表所示:
地址
内容
00
AA
01
55
02
33
03
44
04
66
05
08
06
F0
(2)依次读出表中各地址单元的内容,观察各单元中的内容与写入的内容是否一致。
四.试验结果分析
结果一致,成功完成相应的练习操作
五.结论
通过本实验我掌握了存储器的工作特性及使用方法,先做写地址操作,将数据写入地址寄存器AR里,再对存储器的地址单元进行写内容操作写入相关数据,最后再读出地址单元的内容,本次的实验比较容易完成,我做得很顺利,掌握了半导体存储器怎样存储和读出数据。
六.实验总结
这个实验在我所做的实验中给我的感觉是比较容易的。它没有很多的数据,也没有很多的步骤要你做。但这是以前做的实验再加深一些,我们要好好的把握这些实验的过程和结果。
1、存储器在写操作和读操作的过程中为什么都要先完成写地址操作。
答:在写操作中先完成写地址操作是为了能把数据写到指定的存储单元,从而能使数据不会杂乱。而读操作中写入地址是为了根据地址找内容并读出所要的内容。
2、写地址的操作完成后,在做写内容操作时,为什么要关闭LDAR?
答:因为LDAR是地址寄存器AR存数控制信号。
3、存储器读操作需要T3脉冲吗?
答:不需要。
4、在完成上面练习题操作中,能否先连续输入所有的地址,再连续的输入所有的内容或连续读出所有的内容,为什么?
答:不行。如果先连续输入所有地址再连续输入所有内容,那么会在输入内容的时候出现数据不知道储存在哪个单元。从而使数据杂乱无章。连续读内容也一样,系统不知道该在哪个时候读出哪个数据。
七.思考题
答题框:
(1)A
(2)B
(3)A
(4)B
(5)B
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