注：最后一节始终是待批改状态，以及改过的也看不见正确答案，答案如果有错，评论区告诉我哈，我在改改。
PS.重复的题有点多，有的题出现的章节不对，学校抽题系统的问题吧。。

存储系统

2.1 主存储器概述

1【单选题】
某单片机字长32位，其存储容量为4MB。若按字编址，它的寻址范围是（）。

A、0-1M
B、0-4MB
C、0-4M
D、0-1MB

答案：A

按字编址的寻址范围
计算步骤:256M字节=256 * 1024 * 1024 * 8位，
按计算机按32位字长单字编址，
则单字的位数为32位，范围为(4 * 1024 * 1024 * 8位)/32位=1M
计算机按32位字长半字编址。
则半字的位数为16位，范围为2M 计算机按32位字长双字编址。则双字的位数为64位，范围为0.5M（1M=2^20)

2【单选题】
在按字节编址的存储器中，每个编址单元中存放（ ）数据。

A、1位
B、8位
C、16位
D、32位

答案：B

3【填空题】
（ ）是计算机的记忆部件。

答案：存储器

4【填空题】
反映主存速度指标的三个术语是存取时间、存储周期和存储器（ ）。

答案：带宽

5【填空题】
（ ），指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间，其时间单位为ns。

答案：存储周期

6【填空题】
SRAM 比DRAM 的读写速度（ ），但价格高。

答案：快

SRAM读写周期短，读写速度快。

7【填空题】
半导体只读写存储器ROM可分为MROM、（ ）和EPROM。

答案：PROM

现代主存储：ROM（read only memory，只读存储器）、RAM（random access memory，随机存储器）。
ROM：MPOM（mask read only memory，掩模式“屏蔽只读存储器”）、可编程的ROM（programmable ROM，PROM）、可擦除可编程ROM（erasable programmable ROM，EPROM）。
EPROM：UVEPROM（紫外线擦除FPROM）、EEPROM（电可擦除EPROM）。 RAM：SRAM（static RAM，静态RAM）、DRAM（dynamic RAM，动态RAM）

8【填空题】
半导体可擦可编程只读写存储器EPROM又可分为UVEPROM和（ ）EPROM。

答案：E

9【判断题】
CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的，存储容量与越大，访问存储器所需的时间越长。

答案：×

10【判断题】
计算机的主存是由RAM和ROM两种半导体存储器组成的。

答案：√

2.2 主存储体组织

1 【单选题】
主存中，所谓的存储单元是指（ ）。

A、存放一个二进制信息位的存储元
B、存放一个机器字的所有存储元的集合
C、存放一个字节的所有存储元集合
D、存放两个字节的所有存储元的集合

答案：C

存储单元：存放一个存储字的所有存储元集合。
以8位二进制作为一个存储单元，也就是一个字节。也就是说存储单元的大小是恒定不变的就是一个字节。
存储字： 存储单元中二进制代码的组合。

2【填空题】
半导体只读写存储器ROM可分为MROM、（ ）和EPROM。

答案：PROM

3【填空题】
存储体的基本扩展方式有三种。其中，位数不变，字数扩展方式称为（ ）扩展方式。

答案：字

存储体的基本扩展方式：字扩展、位扩展、段扩展
字扩展：位数（字长）不变，字数扩展。
位扩展：字数不变，位数（字长）扩展。
段扩展：字向和位向都扩展。

4【填空题】
存储体的基本扩展方式有三种。其中，字数不变，位数扩展方式称为（ ）扩展方式。

答案：位

5【填空题】
存储体的基本扩展方式有三种。其中，字数和位数同时扩展方式称为（）扩展方式。

答案：段

6【判断题】
存储器元件只读存储器ROM的发展演进的先后顺序是MROM、PROM、UVEPROM、EEPROM、Flash。

答案：√

2.3 磁盘存储器

1【单选题】
根据磁表面存储原理，所采用的数字磁记录格式中，（）不具有自同步能力，即无法从读取的脉冲序列中提取出时钟信号。

A、归零制（RZ）
B、不归零制（NR）
C、调相制（PM）
D、调频制（FM）

答案：B

磁记录方式
归零制（RZ）：两个信号间，磁头线圈的写电流都要回到0。每一位记录数据本身包含有时钟脉冲信号，用来作为读出时的同步控制时钟，提供自同步能力。记录密度低，抗干扰能力差，
不归零制（NRZ）：磁头线圈中总是有电流，抗干扰能力好，没有自同步能力。
调相制（PE、PM）：中间有跳变。有自同步能力，抗干扰能力强，但频率较窄。
调频制（FM）：在两个信号的交界处写电流都要改变方向。具有自同步能力。

2【填空题】
（ ）是计算机的记忆部件。

答案：存储器

3【填空题】
反映主存速度指标的三个术语是存取时间、存储周期和存储器（ ）。

答案：带宽

4【填空题】
存储器按存储介质分类，可分为磁表面和（ ）存储器。

答案：半导体

5【填空题】
存储器按存取方式分类，可分为（ ）存取和顺序存取。

答案：随机

6【填空题】
SRAM 比DRAM 的读写速度（ ），但价格高。

答案：快

7【填空题】
DRAM 比SRAM 的读写速度慢的原因是因为：为了保持数据，需要定时地（ ）。

答案：刷新

因为电容电荷总是会有泄露的，为了保持数据，DRAM必须隔一段时间进行一次电荷的补充——刷新。

8【填空题】
半导体可擦可编程只读写存储器EPROM又可分为UVEPROM和（ ）EPROM。

答案：E

9【判断题】
CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的，存储容量与越大，访问存储器所需的时间越长。

答案：×

2.4 光盘存储器

1【单选题】
可以作为寄存器或缓冲存储区的存储器是（）

A、PROM
B、SRAM
C、DRAM
D、FLASH

答案：B

2【单选题】
在磁盘调频制记录方式中，是利用（ ）来写0或1

A、电平高低的变化
B、电流幅值的变化
C、电流相位的变化
D、电流频率的变化

答案：D

3【单选题】
磁盘、光盘、U盘属于（ ）。

A、主存储器
B、辅助存储器
C、高速缓冲存储器
D、控制存储器

答案：B

4【填空题】
反映主存速度指标的三个术语是存取时间、存储周期和存储器（ ）。

答案：带宽

5【填空题】
（ ），指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间，其时间单位为ns。

答案：存储周期

6【填空题】
（ ），单位时间里存储器所存取的信息量，通常以位/秒或字节/秒做度量单位。

答案：存储器带宽

7【填空题】
按照总线所处的位置分为片内总线和片外总线，片外总线是指用于连接CPU、内存以及I/O设备的总线。因此，片外总线又称为（ ）总线。

答案：系统

8【判断题】
CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的，存储容量与越大，访问存储器所需的时间越长。

答案：×

9【判断题】
计算机的主存是由RAM和ROM两种半导体存储器组成的。

答案：√

10【判断题】
存储器元件只读存储器ROM的发展演进的先后顺序是MROM、PROM、UVEPROM、EEPROM、Flash。

答案：√

2.5 存储体系

1【单选题】
EEPROM是指（ ）。

A、读写存储器
B、只读存储器
C、闪速存储器
D、电擦除可编程只读存储器

答案：D

2【单选题】
可以作为寄存器或缓冲存储区的存储器是（）

A、PROM
B、SRAM
C、DRAM
D、FLASH

答案：B

3【单选题】
主存贮器和CPU之间增加cache的目的是（ ）。

A、解决CPU和主存之间的速度匹配问题
B、扩大主存贮器容量
C、扩大CPU中通用寄存器的数量
D、既扩大主存贮器容量，又扩大CPU中通用寄存器的数量

答案：A

原话：为解决主存储器与CPU速度不匹配的日益严重的问题，采用Cache-主存体系结构。

4【单选题】
某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线的数目是（ ）。

A、8，512
B、512，8
C、18，8
D、19，8

答案：D

5【单选题】
计算机的存储器采用分级存储体系的目的是（ ）。

A、便于读写数据
B、减小机箱的体积
C、便于系统升级
D、解决存储容量、价格与存取速度间的矛盾

答案：D

6【填空题】
对存储器的要求是容量大、速度快、成本低，为了解决这三方面的矛盾，计算机采用多级存储体系结构，即高速缓冲存储器、（ ） 存储器 、辅助存储器构成的多级存储体系结构。

答案：主

7【判断题】
CPU可以直接访问主存，而不能直接访问辅存。

答案：√

8【简答题】
计算机的存储器为什么要采取分级存储的方式？各级之间的关系是什么？

我的答案：
存储器实现分级存储的方式是为了解决速度不匹配以及主存容量不足的问题。一般分为3级：辅助存储器、主存储器、高速缓冲寄存器。各级之间的关系是：辅助存储器作为主存储器的后援；主存储器可以与CPU 通信，也可以作为Cache的后援；Cache存储CPU最常使用的信息。